晶圓翹曲應(yīng)力測(cè)量?jī)x

優(yōu)勢(shì)

√ 全口徑均勻采樣測(cè)量，采樣間隔最少可至0.1mm

√ 同時(shí)具備翹曲測(cè)量及應(yīng)力測(cè)量功能

√ 直觀展現(xiàn)薄膜導(dǎo)致的晶圓形變，可計(jì)算任意角度的曲率及應(yīng)力

√ 強(qiáng)大的附加模塊：薄膜應(yīng)力變溫測(cè)量模塊（室溫到500℃）

√豐富的軟件分析功能，包括：三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(jì)（BOW，WARP等）、ROI分 析、薄膜應(yīng)力及分布、應(yīng)力隨時(shí)間變化、薄膜應(yīng)力變溫測(cè)量、曲率計(jì)算、多項(xiàng)式擬合、空間濾波等多種后處理算法。

適用對(duì)象

2 - 8 英寸/12 英寸拋光晶圓（硅、砷化鎵、碳化硅等）、圖形化晶圓、鍵合晶圓、封裝晶圓等；液晶基板玻璃；各類薄膜工藝處理的表面

適用領(lǐng)域

√ 半導(dǎo)體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質(zhì)量檢查

√ 半導(dǎo)體薄膜工藝的研究與開(kāi)發(fā)

√ 半導(dǎo)體制程和封裝減薄工藝的過(guò)程控制和故障分析

檢測(cè)原理

√ 晶圓制程中會(huì)在晶圓表面反復(fù)沉積薄膜，基板與薄膜材料特性的差異導(dǎo)致晶圓翹曲，翹曲和薄膜應(yīng)力會(huì)對(duì)工藝良率產(chǎn)生重要影響

√ 采用結(jié)構(gòu)光反射成像方法測(cè)量晶圓的三維翹曲分布，通過(guò)翹曲曲率半徑測(cè)量來(lái)推算薄膜應(yīng)力分布，具有非接觸、免機(jī)械掃描和高采樣率特點(diǎn)，晶圓全口徑測(cè)量時(shí)間低于30s

√ 通過(guò)Stoney公式及相關(guān)模型計(jì)算晶圓薄膜應(yīng)力分布

晶圓翹曲應(yīng)力測(cè)量?jī)x